如上所述，在第三种解决方案中，可以选用不同的外部充电功率元件。那么，究竟什么样的充电功率元件更合适呢？我们可以通过最坏情况来予以分析。

    假定充电器(电源适配器)提供的最低电压是4.75V，而电池电压为4.3V，充电器电流为500mA，而感测电阻为200mΩ，PCB电阻为100mΩ。这样对手机充电电路而言，就在电源输入和电池之间留出了0.45V的电压裕量。

图3   FETKY和双FET方案的结构示意图

    结合图2和图3(a)所示，充电由PMU控制，MOSFET充当充电电流的传输元件。这里计算一下通过这个充电电路中的两个传输元件(MOSFET和肖特基二极管)的压降。

Vdropout=充电电流×Rds(on)+Vf=0.5A×Rds(on)+Vf

    在最坏情况下，充电器电流为500mA时，压降(Vdropout)概算为300mV。也就是当充电器电流为500mA时，典型的肖特基二极管的正向电压(Vf)已经是400mV，这就导致无法提供足够的电压裕量。而且随着充电电流的增加，肖特基二极管所促成的0.4V极高压降更会使其成为一个阻塞点。因此，在今后的解决方案中应该避免使用FETKY解决方案。

    而在另一方面，通过用具有低V CE(Sat)的晶体管或者具有低Rds(on)的MOSFET代替肖特基二极管，可以降低传输元件上的压降，从而符合所需要的有限电压裕量要求。例如，双FET用作充电功率元件(如图3(b)所示)就是一个更加合适的选择。在这方面，安森美半导体的NTLJD3115P和NTHD4102P就是非常适合的选择。其中，NTLJD3115P是一款-20V、-4.1A、μCoolTM双P沟道功率MOSFET，它采用2×2mm的WDFN封装，具有极低的导通阻抗，其0.8?mm的高度也使其非常适合纤薄的应用环境；它针对便携设备中的电池和负载管理应用进行了优化，适合于锂离子电池充电和保护电路应用及高端负载开关应用。而NTHD4102P是一款-20V、-4.1A双P沟道ChipFETTM功率MOSFET，同样具有较小的占位面积和极低的导通阻抗，适合于纤薄的便携应用环境。

    具体而言，采用双FET的有利因素包括：阻塞反向电流、允许反向给蓝牙配件充电，以及导通阻抗(Rds(on))较低。此外，对于MOSFET而言，由于它需要频繁地进行开关操作，所以其发热成为一项问题，并且由此影响到它的使用寿命。而在采用双FET的方案中，MOSFET器件所具备的热感应等额外功能可以建立热控制环路，支持快速高效的充电方案和热保护。

    而在用双FET作为充电功率元件进行500mA甚至1,800mA的大电流充电时，需要注意到许多设计考虑事项，如器件温度、温度的计算过程容易出错等。不过，就近的节温度传感器可以改正部分错误，且准确的温度调节可以实现高效的充电解决方案。此外，还需要针对性地进行设备热模拟和温度感应FET评估等工作。

    总的来看，在选择MOSFET作为电池充电电路的充电功率元件时，我们应注意其电流额定值、击穿电压、栅极阈值及热性能等。我们可根据不同的PMIC/PMU和设计目标，采用不同的配置。

    根据YD/T1591-2006标准，手机侧充电控制电路应具备过压保护装置，也就是在手机充电接口导入直流6V以上电压时，如果不能保证安全充电，应启动保护，在非预期电压的情况下，不应出现过热、燃烧、爆炸以及其它电路损坏的现象，而且恢复后，手机应能正常工作。如图4所示，过压保护(OVP)电路在检测到过压故障状况时，检测电路就会将开关打开，使电子负载与电源断开，从而使得包括微处理器、射频、存储器和电源管理器件等核心芯片遭受过压损伤。