解决办法：
　　调节反馈参数，使得反馈速度降低。

　　7 短路功率过大

　　现象：
　　输出短路时，输入功率太大，Vds过高。

　　原因：
　　输出短路时，重复脉冲多，同时开关管电流峰值很大，造成输入功率太大过大的开关管电流在漏感上存储过大的能量，开关管关断时引起Vds高。

　　输出短路时有两种可能引起开关管停止工作：
　　1)触发OCP这种方式可以使开关动作立即停止
　　a.触发反馈脚的OCP;
　　b.开关动作停止;
　　c.Vcc下降到IC关闭电压;
　　d.Vcc重新上升到IC启动电压，而重新启动。

　　2)触发内部限流
　　这种方式发生时，限制可占空比，依靠Vcc下降到UVLO下限而停止开关动作，而Vcc下降的时间较长，即开关动作维持较长时间，输入功率将较大。
　　a.触发内部限流，占空比受限;
　　b.Vcc下降到IC关闭电压;
　　c.开关动作停止;
　　d.Vcc重新上升到IC启动电压，而重新启动。

　　解决办法：
　　1)减少电流脉冲数，使输出短路时触发反馈脚的OCP，可以使开关动作迅速停止工作，电流脉冲数将变少。这意味着短路发生时，反馈脚的电压应该更快的上升。所以反馈脚的电容不可太大;
　　2)减小峰值电流。

　　8 空载，轻载输出纹波过大

　　现象：
　　Vcc在空载或轻载时不足。

　　原因：
　　Vcc不足时，在启动电压(如12V)和关断电压(如8V)之间振荡IC在周期较长的间歇工作，短时间提供能量到输出，接着停止工作较长的时间，使得电容存储的能量不足以维持输出稳定，输出电压将会下降。

　　解决方法：
　　保证任何负载条件下，Vcc能够稳定供给。

　　现象：
　　Burst Mode时，间歇工作的频率太低，此频率太低，输出电容的能量不能维持稳定。

　　解决办法：
　　在满足待机功耗要求的条件下稍微提高间歇工作的频率，增大输出电容。

　　9 重载、容性负载不能启动

　　现象：
　　轻载能够启动，启动后也能够加重载，但是重载或大容性负载情况下不能启动。

　　一般设计要求：
　　无论重载还是容性负载(如10000uF)，输入电压最低还是最低，20mS内，输出电压必须上升到稳定值。

　　原因及解决办法(保证Vcc在正常工作范围内的前提下)：
　　下面以容性负载C=10000uF为例进行分析，
　　按规格要求，必须有足够的能量使输出在20mS内上升到稳定的输出电压(如5V)。

　　E=0.5*C*V^2

　　电容C越大，需要在20mS内从输入传输到输出的能量更大。

　　以芯片FSQ0170RNA为例如图所示，阴影部分总面积S就是所需的能量。要增加面积S，办法是：
　　1)增大峰值电流限流点I_limit，可允许流过更大电感电流Id：将与Pin4相接的电阻增大，从内部电流源Ifb分流更小，使作为电流限制参考电压的PWM比较器正输入端的电压将上升，即允许更大的电流通过MOSFET/变压器，可以提供更大的能量。
　　2)启动时，增加传递能量的时间，即延长Vfb的上升时间(到达OCP保护点前)。

　　对这款FSQ0170RNA芯片，电感电流控制是以Vfb为参考电压的，Vfb电压的波形与电感电流的包络成正比。控制Vfb的上升时间即可控制电感包络的上升时间，即增加传递能量的时间。
　　IC的OCP功能是检测Vfb达到Vsd(如6V)实现的。所以要降低Vfb斜率，就可以延长Vfb的上升时间。
　　输出电压未达到正常值时，如果反馈脚电压Vfb已经上升到保护点，传递能量时间不够。重载、容性负载启动时，输出电压建立较慢，加到光耦电压较低，通过光耦二极管的电流小，光耦光敏管高阻态(趋向关断)的时间较长。IC内部电流源给与反馈脚相接的电容充电较快，如果Vfb在这段时间内上升到保护点(如6V)，MOSFET将关断。输出不能达到正常值，启动失败。