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中国第三代半导体功率器件的领先品牌--派恩杰半导体将于11月亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会
[发布时间]:2023年7月31日 [来源]:广州嘉实沃森展览有限公司 [点击率]:4207
【导读】: 11月1日-3日,中国第三代半导体功率器件的领先品牌派恩杰半导体将于广州保利世贸博览馆,亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会。派恩杰半导体成立于2018年9月,是中国第三代半...

11月1日-3日,中国第三代半导体功率器件的领先品牌--派恩杰半导体将于广州保利世贸博览馆,亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会。



派恩杰半导体成立于2018年9月,是中国第三代半导体功率器件的领先品牌,主营车规级碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓功率器件。公司拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录,碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力,均通过AEC-Q101测试认证,可以满足客户的各种应用场景,提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。

 

派恩杰半导体拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势,创始人黄兴博士于09年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发,师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授及晶闸管发明人Alex Huang教授。目前,派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品,量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用,为Tier 1厂商持续稳定供货,且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。

 

【 展品介绍 】

 

 

1、HPD模块及评估板

PAAC12400CM是派恩杰半导体针对电动汽车电驱系统推出的一款1200V,400A,HPD封装的三相全桥碳化硅功率模块。相比于传统的IGBT功率模块,该产品的开关损耗和导通损耗大幅度降低,可以显著提高电驱系统的轻载效率,大幅提高电动汽车的续航里程。同时,该产品采用PinFin基板,具有超强的散热性能,可以极大地简化电驱系统的机械设计。派恩杰HPD模块是专门为800V电机驱动系统开发,满足车规级要求。

 

派恩杰设计专用模块测试评估板可以对模块进行动态参数设计,通过外部控制信号对模块进行双脉冲测试,测试评估板是针对HPD封装设计的,驱动能力高达±30A,该评估板可直接压接在HPD封装模块上,板子尺寸为168mm*93mm,六路独立的驱动电源和驱动芯片可以轻松驱动PAAC12400CM。

 

2、Easy1B模块

PAIA1250AM是派恩杰半导体针对中等功率电力电子装置应用推出的一款1200V、13mOhm、Easy1B封装的碳化硅功率模块。该产品采用绝缘陶瓷DBC基板,既可以保证绝缘,也具有良好的散热能力

 

3、62mm模块

PAA12400BM3是派恩杰半导体推出的一款1200V、5.6mΩ、62mm模块封装的半桥结构碳化硅功率模块。

 

4、碳化硅器件

 SiC MOSFET的出现和广泛应用为功率半导体产业和电力电子产业带来了一场影响深远的技术革命。SiC MOSFET在导通电阻,开关损耗,高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度,并使得系统的整体成本降低。因此,在汽车应用,工业应用,通信电源和数据中心,SiC MOSFET正在逐步替代传统的硅基功率器件。派恩杰半导体在650V,1200V,1700V多个电压平台均有量产的分立器件产品,且在不同载流能力和封装形式上,产品目录齐全,可以为客户提供全方位的选择。

 

SiC SBD(碳化硅肖特基二极管)的反向恢复电荷远小于硅二极管同类产品,并且 SiC SBD可以运行在更高的结温下。因此,SiC SBD在开关电源中能够明显地减少反向恢复损耗和开关噪声,提高开关电源的转换效率,整体功率密度和可靠性。SiC SBD优异的特性可以显著降低电力电子系统的整体成本。

 

5、碳化硅晶圆

AUTO TECH 2023 中国国际汽车技术展览会将于 2023年11月1-3日再次登陆广州保利世贸博览馆,本次展会主要涵盖:汽车电子、智能座舱、智能网联、自动驾驶、材料开发、EV/HV(功率半导体)、测试测量、零部件加工、模具等多个汽车工业的重要领域;作为华南重要的汽车科技创新展示平台,欢迎各位汽车工程师们莅临展会参观指导!

 

AUTO TECH 2023 展商预订已全面开启,展位和广告席位在售。参展咨询:李先生 132 6539 6437(同微信)/ 参观咨询:杨女士131 7886 7606(微信号:wxy_lisa)

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