联发科积极布局中国大陆TD-LTE已久，长期以来一直配合中国移动与工信部进行TD-LTE终端测试。面对全球发展4G的趋势，联发科如今正专注于研发双通模式与可携式HotSpot装置。今日(25)联发科参与4GInternationalSummit表示：「全球LTE市场发展很快，可望是手机晶片下一个发展重心，预计明年下半年推出中国规格TD-LTE、FDD-LTE的4G智慧型手机晶片。」
　　
联发科认为：「LTE真的越来越重要了！」从明年开始，LTE在通讯产业的发展上，是很重要的调配。目前全球主要LTE频段已经有超过10个以上，以LTE发展来说，美国跑得最快，尤其是Verizon为领头羊，其次是AT&T；而亚洲部分，则以日本NTTDOCOMO、韩国为先。

因此，从各国发展4G经验案例来看，联发科将会藉由2G、3G的经验，去延伸发展4G，并且让4G的手机晶片能够向下相容，因此，2G、3G将会是联发科往4G发展的重要基础。不过，联发科在积极发展4G市场之际，并不会放弃经营2G智慧手机。

据了解，联发科正在想尽办法通过双通手机以及可携式HotSpot装置的测试，针对4G智慧手机的研发，联发科HanTan表示：「此时此刻，联发科将会专注于研发『在双通模式下，能够减少功耗』的晶片解决方案。」他解释，以往双通手机，功耗一直是很大的问题，因此如何将功耗降低，是发展4G智慧手机晶片的关键。
　　
然而，不只是功耗问题，HanTan说明，其实发展4GLTE手机所遇到的挑战与课题，有以下五项：一，为了发展4G，又必须往下相容2G、3G的情况下，晶片必须支持众多连接埠，导致整个Layout难以设计。二、频谱干扰、多频相容的问题。三、天线设计以及电路板布局困难。四、终端功耗过大。五、测试认证成本花费相当高。他说，相信只要能够尽快克服这些挑战，联发科面对4G产业竞争，将会有很好的优势。