控制电路布局

　　使控制电路远离高噪声的开关铜箔区。对降压转换器，好的办法是将控制电路置于靠近VOUT+端，而对升压转换器，控制电路则要靠近VIN+端，让功率走线承载连续电流。

　　如果空间允许，控制IC与功率MOSFET及电感（它们都是高噪声高热量元件）之间要有小的距离（0.5英寸~1英寸）。如果空间紧张，被迫将控制器置于靠近功率MOSFET与电感的位置，则要特别注意用地层或接地走线，将控制电路与功率元件隔离开来。

　　图12（略）是LTC3855电源的较好的隔离地方案，IC有外露的GND焊盘，应焊到PCB上，以尽量减少电气阻抗与热阻。几只关键去耦电容应紧挨着IC引脚。

　　控制电路应有一个不同于功率级地的独立信号（模拟）地。如果控制器IC上有独立的SGND（信号地）和PGND（功率地）引脚，则应分别布线。对于集成了MOSFET驱动器的控制IC,小信号部分的IC引脚应使用SGND.

　　信号地与功率地之间只需要一个连接点。合理方法是使信号地返回到功率地层的一个干净点。只在控制器IC下连接两种接地走线，就可以实现两种地。图12（略）给出了建议的LTC3855电源接地隔离法。在本例中，IC有一个外露的接地焊盘。此焊盘应焊到PCB上，以尽量减少电气阻抗与热阻。应在接地焊盘区放置多个过孔。

　　控制IC的去耦电容应靠近各自的引脚。为尽量减少连接阻抗，好的方法是将去耦电容直接接到引脚上，而不通过过孔。如图12（略）所示，应靠近置放去耦电容的LTC3855引脚是电流检测引脚Sense+/Sense-,补偿引脚ITH,信号地SGND,反馈分压器脚FB,IC VCC电压引脚INTVCC,以及功率地引脚PGND.

　　回路面积与串扰

　　两个或多个邻近导体可以产生容性耦合。一个导体上的高dv/dt会通过寄生电容，在另一个导体上耦合出电流。为减少功率级对控制电路的耦合噪声，高噪声的开关走线要远离敏感的小信号走线。如果可能的话，要将高噪声走线与敏感走线布放在不同的层，并用内部地层作为噪声屏蔽。

　　空间允许的话，控制IC要距离功率MOSFET和电感有一个小的距离（0.5英寸~1英寸），后者既有大噪声又发热。

　　LTC3855控制器上的FET驱动器TG、BG、SW和BOOST引脚都有高的dv/dt开关电压。连接到最敏感小信号结点的LTC3855引脚是：Sense+/Sense-、FB、ITH和SGND.如果布局时将敏感的信号走线靠近了高dv/dt结点，则必须在信号走线与高dv/dt走线之间插入接地线或接地层，以屏蔽噪声。

　　在布放栅极驱动信号时，采用短而宽的走线有助于尽量减小栅极驱动路径中的阻抗。在图13（略）中，布放的高FET驱动器走线TG与SW应有最小的回路面积，以尽量减小电感与高dv/dt噪声。同样，低FET驱动器走线BG要靠近一根PGND走线。

　　如果在BG走线下布放了一个PGND层，低FET的交流地返回电流将自动耦合到一个靠近BG走线的路径中。交流电流会流向它所发现的最小回路/阻抗。此时，低栅极驱动器不需要一个独立的PGND返回走线。最好的办法是尽量减少栅极驱动走线通过的层数量，这样可防止栅极噪声传播到其它层。

　　在所有小信号走线中，电流检测走线对噪声最为敏感。电流检测信号的波幅通常小于100mV,这与噪声的波幅相当。以LTC3855为例，Sense+/Sense-走线应以最小间距并行布放（Kelvin检测），以尽量减少拾取di/dt相关噪声的机会，如图14（略）所示。

　　另外，电流检测走线的滤波电阻与电容都应尽可能靠近IC引脚。当有噪声注入长的检测线时，这种结构的滤波效果最好。如果采用带R/C网络的电感DCR电流检测方式，则DCR检测电阻R应靠近电感，而DCR检测电容C则应靠近IC.

　　如果在走线到Sense-的返回路径上使用了一个过孔，则过孔不应接触到其它的内部VOUT+层。否则，过孔可能会传导大的VOUT+电流，所产生的压降可能破坏电流检测信号。要避免在高噪声开关结点（TG、BG、SW和BOOST走线）附近布放电流检测走线。如可能，在电流检测走线所在层与功率级走线层之间放置地层。

　　如果控制器IC有差分电压远程检测引脚，则要为正、负远程检测线采用独立的走线，同时也采用Kelvin检测连接。

　　走线宽度的选择

　　对具体的控制器引脚，电流水平和噪声敏感度都是唯一的，因此，必须为不同信号选择特定的走线宽度。通常情况下，小信号网络可以窄些，采用10mil~15mil宽度的走线。大电流网络（栅极驱动、VCC以及PGND）则应采用短而宽的走线。这些网络的走线建议至少为20mil宽。