2015 年主要原厂NAND Flash 的市场份额

　　根据Digitimes 的数据显示，2015 年，韩国半导体的半导体出口金额自2014 年626 亿美元增加3 亿美元至629 亿美元，连续2 年创新高。其中存储器的的出口金额虽然从2014 年340 亿美元相对高点略减至338 亿美元，但是其在韩国半导体出口中所占的份额则高达50% 以上，可见存储器对韩国的重要性。
　　另外，我们从以往的数据可以看到，韩国的三星和SK 海力士在中国是仅次于Intel 的第二、第三位供应商。由此可以看出，韩国理应对中国建设存储产业紧张，进而建立了这个半导体希望基金。

　　中国大陆存储将面临更大压力
　　从上面的介绍中我们得知，存储产业主要由DRAM 和FLASH 两种产品组成。而在这两方面，韩国两家企业都有领先的优势，这些都不可能是一蹴而就的。
　　首先从成本上分析一下。
　　研究机构Bernstein Research 表示，存储产业为典型资本密集与技术密集产业。先从资本谈起，光土地、厂房不含设备，可能就得耗掉32~42 亿人民币，研究机构Bernstein 预估，若要取得DRAM 或NAND Flash 其中一个市场的一席之地，至少需15% 左右的市占，以2014 年第四季产能来估算，一个月产出得达20 万片(资本支出大约在200 亿美元，约1352 亿人民币左右)。
　　在追逐市占的过程中，若产能一个月增加到20 万片的幅度，市场将出现超额供给，对于初期生产成本较高的新进者而言，价格会掉到成本以下，新进者即便前面16~ 24 个月之间投入200 亿美元以上的资本支出，十年内仍会落后产业先进者一个世代以上。
　　Bernstein 预估，新进者投入DRAM 产业，将得承受前面十年400 亿美元(约2703 亿人民币)的亏损，投入NAND 产业前面十年也要有面临350 亿美元(约2365 亿人民币)损失的心理准备。
　　因此从资金投入上看，对中国存储产业的发展就是一个大挑战。虽然有国家的支持，但这也是一笔不少的支出。
　　其次就是技术。
　　我们知道三星和SK 海力士能够从诸多竞争对手中突围而出，除了其雄厚的资金做支持外，他们在技术上面的积累也异常重要。韩国半导体业界普遍认为，中国大陆在DRAM 和NAND Flash 的技术与三星电子和SK 海力士的技术相差甚远，难以在短时间内赶上。
　　这不但体现在其技术、基础积累，更体现在其专利上。三星等企业已经在存储器方面布下了严密的专利网，对于中国企业来说，是一个巨大的挑战。
　　很多国内媒体认为，3D NAND Flash 会是中国的突围方向。我们不妨来看一下这方面的差距。
　　现在各家半导体大厂的3D NAND 技术早已如火如荼在开发中，目前进入32 层堆叠技术，业界都认为2017 年下半是3D NAND 产能大量开出之时，目前看来时间点是对的，但各家半导体大场面临的考验恐怕会比预期艰巨数倍。
　　过去平面NAND Flash 芯片朝两方面前进，一是陆续有SLC 、MLC 、TLC 型NAND Flash 芯片的演进来提高储存容量并降低成本;二是制程技术不断往前，目前已经进入18/16/15 纳米制程，但无法否认的是，技术前进的同时，其NAND Flash 的氧化层越薄，芯片可靠性是递减的，因此需要用额外的方式来增强效能，这又使得成本提升，因此，平面NAND Flash 技术已无法满足市场需求，开始进入3D NAND 时代。
　　进入3D NAND 技术后，制程技术的演进成为其次，堆叠层数才是重点，层数越高会使储存容量越大。不过，当堆叠层数越高时，各层对准的技术就很困难，定位技术必须做的好，因为堆越高会越难对准。
　　三星曾对外表示，不久将来会看到100 层堆叠的技术出现。根据业界进度，2017 年3D NAND 技术会到80 层，2020 年到100 层，至于3D NAND 技术的堆叠极限在哪里里，各界也有不同的看法，有人甚至认为可堆到200 层，但以目前技术挑战而言，真的堆叠到200 层，恐怕对准的精准度是很大考验，可能良率也不见得太好，即使是2020 年到100 层，恐怕难度都很高。
　　三星在3D NAND 技术世代上仍是龙头厂，是全球第一家量产3D NAND 技术的半导体厂，技术演进也最扎实。三星在2013 年推出24 层叠的3D NAND 芯片，之后32 层堆叠、48 层堆叠的芯片陆续问世。
　　三星计划今年第4 季转进第四代64 层堆叠技术的3D NAND 芯片，估计每片晶圆的储存容量再提高30% ，意味成本持续下降，三星也对外指出，100 层堆叠以上的技术不是梦。
　　而在DRAM 方面，同样以三星为例。
　　BusinessKorea 31 日报导，半导体产业透露，三星内存部门今年初量产18纳米制程DRAM ，准备在明年下半生产15 、16 纳米DRAM 。同时，该公司将拉高18 纳米DRAM 占整体DRAM 的生产比重，目标明年下半提高至30~40% 。相关人士说，明年三星10 纳米等级DRAM ，将占整体DRAM 生产的一半。
　　研究估计，当前三星DRAM 生产以20 纳米为主、占82% ，18 纳米仅占12% 。
　　三星制程微缩进展比原先预期更为快速，内存部门主管Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年将量产10 纳米等级DRAM ，如今看来，应该2019 年初就能达成目标。
　　本身三星的SK 海力士的发展是由韩国政府在背后的支持而发展起来的，在中国在效仿韩日，想打造自己的存储产业的时候，甚至用九倍年薪从韩国挖人，积累技术储备的时候，上任以来一直在打击三星的朴槿惠政府这时候走出来支持三星和SK 海力士，无疑释放出了一个明显的信号，政府支持三星和SK海力士对抗来自中国的威胁，虽然十几亿人民币的基金跟中国上千亿的基金规模没得比，但是由于其本身的技术积累，对于中国存储来说，韩国政府的这个做法，也会让其感到不安。
　　难道当年韩国打击台湾DRAM 发展的故事又将重演?
　　在2008 年金融海啸发生以后，当年台湾DRAM 技术的主要来源无能力投入更多的资金进行研发之时，三星李健熙逮到机会，执行三星最常用的逆势投资法，在台日两国停止投资后，反而增加资本支出、强化研发支出，加速推进制程技术及价格战，这也造成后来尔必达及台湾DRAM 厂纷纷宣布破产下市。
　　中国在各个方面技术还不如台湾的情况下，这下在面临的挑战无疑是更加巨大了。
　　虽然面临的挑战依然巨大，但对于中国半导体产业来说，存储的重要性是毋庸置疑的，因此多艰难也要砥砺前行。中国大陆或可继承台湾未竟之事业，打造真正的中国存储。