比亚迪IGBT芯片通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定

提前布局SiC，比亚迪欲再度引领电动车变革
“驯服”了IGBT，比亚迪又将目光投向了更远的未来。
据比亚迪预见，随着电动车性能不断地提升，对功率半导体组件提出了更高的要求，当下的IGBT也将逼近硅材料的性能极限。寻求更低芯片损耗、更强电流输出能力、更耐高温的全新半导体材料，已成为学界和业界的普遍共识。
据悉，比亚迪已投入巨资布局第三代半导体材料SiC，并将整合材料（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。

第三代半导体材料SiC

比亚迪SiC晶圆

此次发布会上，比亚迪宣布，已经成功研发了SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10％。
比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代‘杀手锏’，我们期望在加速、续航等性能指标上，为广大消费者带来更多惊喜。”
以技术创新，助力中国汽车产业“再向上”
在过去相当长的时间里，IGBT的核心技术始终掌握在国外厂商手里，中高端IGBT市场90％的份额被国际巨头垄断，导致“一芯难求”，成为制约我国电动车行业健康、快速发展的主要瓶颈。
根据世界三大电子元器件分销商之一富昌电子（Future Electronics LTD）的统计，2018年，车规级IGBT模块的交货周期最长已经达到52周（IGBT的交货周期正常情况下为8－12周）。而2018－2022年，全球电动车年复合增长率达30％，但同期车规级IGBT市场的年复合增长率仅为15．7％。可以预见，未来几年全球车规级IGBT市场的供应将愈加紧张。
在功率半导体等核心技术的加持下，比亚迪在过去的三年位居全球电动车销量第一，并助推我国电动车行业高速发展——正是在这三年，我国电动车产销量持续领跑全球、保有量全球占比达到50％。

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