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开关电源调试常见问题和解决方法大合集
[发布时间]:2019年5月14日 [来源]:ofweek [点击率]:465
【导读】: 1 变压器饱和  变压器饱和现象  在高压或低压输入下开机(包含轻载,重载,容性负载),输出短路,动态负载,高温等情况下,通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长,当出现此现象时,电流的峰值无法预...

  1 变压器饱和
  变压器饱和现象
  在高压或低压输入下开机(包含轻载,重载,容性负载),输出短路,动态负载,高温等情况下,通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长,当出现此现象时,电流的峰值无法预知及控制,可能导致电流过应力和因此而产生的开关管过压而损坏。

  变压器饱和时的电流波形
  容易产生饱和的情况:
  1)变压器感量太大;
  2)圈数太少;
  3)变压器的饱和电流点比IC的最大限流点小;
  4)没有软启动。

  解决办法:
  1)降低IC的限流点;
  2)加强软启动,使通过变压器的电流包络更缓慢上升。

  2 Vds过高
  Vds的应力要求:
  最恶劣条件(最高输入电压,负载最大,环境温度最高,电源启动或短路测试)下,Vds的最大值不应超过额定规格的90%

  Vds降低的办法:
  1)减小平台电压:减小变压器原副边圈数比;
  2)减小尖峰电压:
  a.减小漏感:

  变压器漏感在开关管开通是存储能量是产生这个尖峰电压的主要原因,减小漏感可以减小尖峰电压。

  b.调整吸收电路:
  ①使用TVS管;
  ②使用较慢速的二极管,其本身可以吸收一定的能量(尖峰);
  ③插入阻尼电阻可以使得波形更加平滑,利于减小EMI。

  3 IC 温度过高
  原因及解决办法:
  1)内部的MOSFET损耗太大:
  开关损耗太大,变压器的寄生电容太大,造成MOSFET的开通、关断电流与Vds的交叉面积大。解决办法:增加变压器绕组的距离,以减小层间电容,如同绕组分多层绕制时,层间加入一层绝缘胶带(层间绝缘) 。
  2)散热不良:
  IC的很大一部分热量依靠引脚导到PCB及其上的铜箔,应尽量增加铜箔的面积并上更多的焊锡
  3)IC周围空气温度太高:
  IC应处于空气流动畅顺的地方,应远离零件温度太高的零件。

  4 空载、轻载不能启动
  现象:
  空载、轻载不能启动,Vcc反复从启动电压和关断电压来回跳动。

  原因:
  空载、轻载时,Vcc绕组的感应电压太低,而进入反复重启动状态。

  解决办法:
  增加Vcc绕组圈数,减小Vcc限流电阻,适当加上假负载。如果增加Vcc绕组圈数,减小Vcc限流电阻后,重载时Vcc变得太高,请参照稳定Vcc的办法。

  5 启动后不能加重载
  原因及解决办法:
  1)Vcc在重载时过高
  重载时,Vcc绕组感应电压较高,使Vcc过高并达到IC的OVP点时,将触发IC的过压保护,引起无输出。如果电压进一步升高,超过IC的承受能力,IC将会损坏。

  2)内部限流被触发
  a.限流点太低
  重载、容性负载时,如果限流点太低,流过MOSFET的电流被限制而不足,使得输出不足。解决办法是增大限流脚电阻,提高限流点。
  b.电流上升斜率太大
  上升斜率太大,电流的峰值会更大,容易触发内部限流保护。解决办法是在不使变压器饱和的前提下提高感量。

  6 待机输入功率大

  现象:
  Vcc在空载、轻载时不足。这种情况会造成空载、轻载时输入功率过高,输出纹波过大。

  原因:
  输入功率过高的原因是,Vcc不足时,IC进入反复启动状态,频繁的需要高压给Vcc电容充电,造成起动电路损耗。如果启动脚与高压间串有电阻,此时电阻上功耗将较大,所以启动电阻的功率等级要足够。
  电源IC未进入Burst Mode或已经进入Burst Mode,但Burst 频率太高,开关次数太多,开关损耗过大。

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