安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体领先业内的Trench技术来取得能够和SC-89或SC-75等大上许多封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。
    NTK3134N是一款20V, 890mA的N通道MOSFET，NTK3139P则是-20V, -780mA的P通道MOSFET，两款器件在高于200mA工作电流下的低导通电阻RDS(on)以及1.5V的低门极电压让它们可以通过电源管理ASIC或其他控制器直接控制。
    NTK313xx器件相当适合负载或电源转换应用和小信号接口切换，内置静电放电(ESD)保护，这些器件把特殊处理和封装工序需求减到最低。SOT-723封装的1.2mm x 1.2mm占位面积比起提供相似性能，采用SC-89或SC-75封装的MOSFET节省了44%的电路板空间，拥有0.5mm的低垂直间隙，这些新SOT-723封装MOSFET能满足新一代超薄手持便携式设备的需求。