尽管一直到2015下半年，台积电(TSMC)都仍可能无法为ARM处理器提供可量产的FinFET技术，不过，ARM CEO Warren East表示，他并不担心于英特尔( Intel )在制程技术方面领先于其他所有代工厂。

在FinFET 技术中，电晶体是垂直在晶圆表面上，这种方法被认为能改善电晶体性能，并减少关闭状态下的漏电流。英特尔已经采用22nm FinFET CMOS制程进行量产，在此同时，台积电则正试图为客户提高其平面28-nm CMOS产能。

然而，Ease对《EE Times》表示，ARM和台积电将在SoC技术竞争方面领先英特尔。“我们非常关注SoC的整合。就SoC而言，英特尔正在使用32nm high-k金属闸极平面CMOS进行生产。而台积电则使用28nm high-k金属闸极。这在我看来并不是什么重大的技术领先，不过，你确实可以说台积电在这方面是领先的。”

East 表示，英特尔的22nm FinFET主要用来量产电脑晶片，但要将该技术用在包含大量周边电路的SoC上并不是件容易的事。

英特尔目前拥有智慧手机和平板电脑专用的Atom-based 32nm Medfield 处理器。英特尔也预计2013年开始用22nm FinFET CMOS 制程生产采用Silvermont 架构的Atom 低功耗处理器。而Merrifield则很可能是首个采用22nm FinFET技术的高阶智慧手机专用处理器。

而针对台积电的16nm FinFET，以及联电(UMC)的20nm FinFET 制程，East表示，“目前还很难说何时针对ARM的FinFET技术能够就绪。”

ARM处理器核心也支援由意法半导体(ST)开发的28nm全耗尽型SOI(FDSOI) ，目前正在转移到GlobalFoundries，预计之后将再微缩到20nm制程。