IBM突破自旋电子技术 有望引发内存革命
[发布时间]：2012年8月14日
[来源]：搜狐IT
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【导读】： 近日消息，Computerworld网站日前发表文章称，IBM研究人员在自旋电子学领域取得了重大技术突破，可以将电子自旋周期延长30倍，从而有望突破内存行业面临的“极限困境”，在未来引发新一轮“存...
“现在还没有这样的设备，然而这是一项突破，我们掌握了延长电子在沟道内自旋周期的方法。”萨里斯说道，“接下来我们想做的一件事情，就是把它（即自旋周期）延长30倍。”
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