电子材料咨询机构TECHCET近期研报（以下简称研报）显示，随着高端芯片所需的先进制程工艺加速引入EUV，金属氧化物、干沉积、多触发等EUV光刻胶的市场规模将在2025年超过2亿美元。

　　光刻胶是光刻工艺的核心耗材，EUV光刻胶是其中发展最快的品类之一。TECHCET此前报告指出，用于半导体的光刻胶的营收规模预计在2022年增长7.5%至23亿美元，2025年超过25亿美元，2021年—2026年复合增长率为5.9%。而EUV光刻胶2021年的市场规模仅约0.6亿美元，预计到2025年达到2亿美元，2020年-2025年复合增长率达50%，远高于光刻胶市场平均增速。

　　研报指出，金属氧化物、干沉积、多触发等光刻胶材料在EUV技术平台有着较为广阔的应用前景。金属氧化物光刻胶具有高耐蚀性，可以消除在抗蚀剂上面所需的额外层。干沉积光刻胶提供了消除液体显影和沉积的机会。多触发光刻胶能够持续使用较低的曝光能量，在多次曝光中发挥作用。

　　目前，IC、存储器等半导体器件制造厂商都在引入EUV技术。在逻辑IC方面，随着先进制程节点的不断引入，EUV技术被规模化应用，EUV光刻胶的市场规模快速增长。在存储器方面，存储厂商已经开始将EUV技术引入DRAM生产。除了光刻胶，EUV也带来了扫描仪光学器件和3D模式技术等一系列变化。

　　而g线、i线、KrF、ArF等相对成熟制程使用的光刻胶也有望保持增长。KrF光刻胶在3D NAND存储器用量和堆叠层数不断增加的过程中保持增长。ArF光刻胶也随着多重曝光技术的使用实现增长。

　　“随着晶圆代工厂在先进制程的资本支出越来越高，光刻材料在半导体制造中变得至关重要，是光刻加工的重要组成。因此，EUV等材料和工艺创新会加速发展。”TECHCET首席执行官Lita Shon-Roy表示。

　　研报显示，在EUV光刻胶等材料的推动下，光刻材料市场有望在未来3-4年随着细线宽（孔间四条线或平均线宽在5～6mil以下称为细线）器件制造实现5倍的增长。

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