给经过适当处理的富Co非晶合金细丝加上高频（＞10KHz）电流和外部磁场，其阻抗变化率（△Z/Z）高达100~300%，毛利教授等人把这种现象称作互磁阻抗（GMI）效应。后来，在图形化(Ni-Fe)薄膜和Co73Si12B5(2μm)/Cu(3μm)/cO73Si12B5(2μm)非晶多层结构中，看到了类似的现象。日本政府与产学研部门组成联合机构，开发出GMI元件及高灵敏度微型磁传感器——电子罗盘，速度传感器，转矩传感器，压力传感器，电流传感器，近接开关，毫高斯计等产品，获得广泛应用。

应力阻抗（SI）元件，是利用在给冷拉强力退火的负磁致伸缩非晶Co-Si-B细丝（φ2μm~30μm）通以高频或光脉冲电流发生强的趋肤效应时，丝阻抗随外加应力剧烈变化现象工作的磁敏元件。用这种元件与CMOS IC多谐振荡电路构成的加速度传感器和高灵敏应变传感器（应变系数高达4000），于20世纪末上市。

2.5 使用Ni-Zn铁氧体薄膜的GHz噪声抑制器［10］

2003年，NEC Tokin公司采用低温(＜90°镀膜工艺，成功制出铁氧体薄膜（厚1~3μm），并用作GHz频段传导噪声抑制器。实用的膜有两种：（1）用旋转喷镀法，将铁氧体膜直接沉积到印刷电路板（PCB）上的50Ω微带线上，在3GHz测得传导噪声衰减量达67%，而反射损耗Sn＜7%。（2）将Ni-Zn铁氧体膜旋转喷镀到柔性聚酯膜衬底上，再切割成所需尺寸和形状，粘贴到噪声发生处，抑制噪声。这两种噪声抑制体的厚度，比市售金属粉与聚合物的复合板（厚~50μm）薄，最适合手机、笔记本电脑、数码相机等数字电器使用。

2.6 磁光非互易器件用RIG膜［11］