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纳米晶磁膜及其在微型磁性器件中的应用(二)
[发布时间]:2010年8月18日 [来源]:电子变压器资讯网 [点击率]:18309
【导读】: 2.1.4后期处理溅射纳米晶颗粒膜的后期处理是在真空状态下10-6Torr,分别在静磁场(UFA)和旋转磁场(RFA)中进行的。热处理的温度范围为100~600℃,保温1小时,升降温速度为100℃...

2.1.4后期处理

溅射纳米晶颗粒膜的后期处理是在真空状态下10-6Torr,分别在静磁场(UFA)和旋转磁场(RFA)中进行的。热处理的温度范围为100~600℃,保温1小时,升降温速度为100℃/小时,热处理时施加的磁场强度为1K(Oe

2.2纳米晶颗粒粒膜的磁特性分析

2.2.1  Co-Al-N纳米晶颗粒膜的磁特性

 Co75Al25为合金靶,气体为Ar+N ,调整N/N+Ar气流比,其溅射所得的纳米晶颗粒膜的磁特性见图1所示。当N=23.5at%时,所得到的纳米晶颗粒膜的电阻率最高,达到974μΩ-cm,但实验结果与计算值相差也最大。相反,当N=22at%时,所获得的颗粒膜的阻率最小,只有463μΩ-cm,而实验结果与计算值则基本吻合。当N=28at%时,则颗粒膜的电阻率次于N=23.5at%并优于N=22at%的状况,而此时,虽然Hk值接近于零,但μ′值在低频时也不超过100。从图中可见,显然,电阻率随含N量的变化存在一个峰值,但磁导率μ则随着N含量的增加而单调下降。理论计算表明,支配这种软磁颗粒膜μ′-f特性的主要因素是Bs、ρ以及Hk。图2示出了这些参数随静磁场(UFA)的温度变化特性。由图中可见:①具有高Bs的纳米晶颗粒膜,热处理温度变化对影响不大;而其它成份的颗粒膜的Bs随着热处理温度的上升而升高;②无论哪种颗粒膜的电阻率ρ都随热处理温度的上升而降低,电阻率ρ,开始下降的温度按含H的量从少到多顺序排列,即含N量为22at%的ρ开始下降时的温度最高;  ③含N量为22at%的颗粒膜的Hk不随热处理温度的变化而变化,含N量为23.5at%的颗粒膜的Hk值随热处理温度的上升而增大,但含N量为23.5at%的颗粒膜的Hk值与热处理温度无关,直到接近600℃时,Hk仍然保持在零值上下。

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