表1中列出了当前实用的主要薄膜磁记录介质，制备工艺及基本性能［3］。

2.2薄膜磁头

2.2.1薄膜磁写入头

典型的高密度记录薄膜磁头，采用溅射沉积坡莫合金膜（厚2~3μm），磁头间隙宽200nm，于1979年实用化。合金材料有Ni81-Fe19和Ni50Fe50两种，其饱和磁感应强度Bs≥1.0T，电阻率ρ≈40μΩ·cm。通过添加少量Cr或Ti、In、Rn等元素，可减少因合金腐蚀导致的磁导率下降。此外，也使用Mumetal高导合金和Sendust合金薄膜。

2.2.2 AMR和GMR薄膜读出磁头

应用NiCo、NiFe金属薄膜各向异性磁电阻（AMR）效应检测磁场的磁场传感器，在1975年就用作磁记录中的信息读出磁头［4］。由于这种薄膜磁头的灵敏度高，容易集成化，故很快得到普及，尤其在高档音像设备和高密度数据存储器中的应用更为广泛。这类磁膜仍采用真空蒸镀等工艺沉积在硅或玻璃基片上，再用光刻技术使之图形化，制成磁头。

应用人工格多层膜互磁电阻（GMR）效应的HDD读出磁头，由IBM公司开发成功，于1997年底开始推向市场，使系统面记录密度达到1Gb/inch2［5］。目前，HDD用GMR磁头的年销量达数亿只，面记录密度已提高到100Gb/inch2以上。这种磁头由自由磁层、间隔层和永磁化钉紧层构成，如NiFe/Cu/CoFe/Ru/CoFe/PtMn叠层，被称之为自旋阀（SV-）GMR元件。给元件两端加上电极，在其间施加电压；当电流平行或垂直膜面时，薄膜磁场引起电阻急剧变化，改变电压以高灵敏度检测磁场的变化。其分辨可达0.01 Oe/±20Oe，响应速度为1MHz。