自2012年7月以来，三菱电机发布了一系列碳化硅(SiC)功率模块，这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆

举行的PCIM亚洲展隆重亮相。

    众所周知，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是业界对硅(Si)材料的性能利用已接近极限

。与Si相比，SiC的禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是Si的10倍，电子饱和速率是Si的2倍。

    与传统的Si功率器件相比，SiC功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温等特性。采用SiC功率器

件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积；提升变流器效率；提高开关频率，缩小滤波器体积；确保高温环

境下运行的可靠性；还易于实现高电压大功率的设计。SiC功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统。

    迄今为止，三菱电机发布的SiC功率模块，包括用于变频空调的600V/15A混合SiC DIPIPMTM、600V/20A混合SiC

DIPPFCTM、600V/20A全SiC DIPPFCTM，用于工业设备的1200V/75A混合SiC-IPM、1200V/800A全SiC模块、600V/200A混合

SiC-IPM，以及用于铁路牵引的1700V/1200A混合SiC-HVIGBT。

    * 混合SiC模块：主开关采用Si-IGBT，续流二极管采用SiC-SBD

    * 全SiC模块：主开关采用SiC-MOSFET，续流二极管采用SiC-SBD

    * DIPIPMTM：三菱电机注册商标，双列直插式智能功率模块

    * DIPPFCTM：三菱电机注册商标，双列直插式功率因数校正模块

    本次展会，除了展示以上SiC功率模块，三菱电机还将同步展出多个系列的新型功率模块，包括最新的工业用DIPIPMTM

、家电用第6代DIPIPM TM、变频冰箱用MOS-DIPIPM TM、新一代IPM、第6.1代IGBT模块、第6代T型三电平IGBT模块、第6代新

型MPD模块、R系列HVIGBT， J系列汽车用EV T-PM模块和EV-IPM。

    为了方便客户采用新型功率模块开发变流器产品，三菱电机还将展示多种变流器整体解决方案，包括基于第5代DIPIPM

TM的变频空调驱动器、基于MOS-DIPIPM TM的变频冰箱驱动器、基于工业DIPIPMTM的伺服驱动器、风电变流器功率组件

MPDStacK和100kW T型三电平并网逆变器等。

    作为全球首家掌握功率半导体硅片技术和封装技术的公司，三菱电机将积极致力于基于新材料的开发和应用，努力为电

力电子业界奉献高性能和高可靠性的功率半导体模块。