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测试应用快速扩大阵列持续推动SMUs仪器技术
[发布时间]:2011年9月22日 [来源]:中电网 [点击率]:7187
【导读】: 自20年前推出SMU以来,源测量单元(SMUs)已演变成一个多用途的仪器类别,人们经常要求SMU解决电子行业应用的快速扩大阵列: 半导体设备制造,工艺开发和产品研发设计 电子产品的生产验证,如便携...

对于电流低于1毫微安培的应用,选择泄露电流最小并支持所需电压的连接器非常重要。这也是吉时利公司的源数据表,如237型高压源测量单元、2636A型双通道系统源数据表以及6430型亚FA程控数据源表,都使用三轴连接器的原因。标准的三轴连接器可以在1500V高压下安全运行,并涵盖这些仪表的输出电压容量。不过,使用三轴连接器的最大益处是将漏电流减到最小,实际上通过保护测试信号,几乎可以杜绝漏电流。

解释受保护三轴连接能够消除漏电流的最简单方法是将其与未受保护得同轴连接进行比较。同轴连接是在中心导体周围包裹一层屏蔽,二者之间是绝缘层。SMU的HI信号施加到中心导体,LO信号加于屏蔽层,如图5所示。

 

 

            图5: 未受保护的同轴连

在同轴连接中,中心导体和屏蔽层之间的绝缘体形成阻抗路径(RL),它以并联方式与待测器件(RDUT)相连。这个额外的电流路径产生漏电流(IL),叠加到通过待测器件的电流(IDUT),得到测量电流(IM)。

假设RDUT是200GΩ,测试电压是200V。根据欧姆定律(I = V/R)可知,预计通过待测器件的电流是200V/200GΩ = 1nA。同轴电缆绝缘体的典型阻抗大约是2TΩ/米,因此假设电缆长度是1米,那么由于电缆泄露流出的电流就是200V/2TΩ = 100pA。考虑到测量得到的电流是通过待测器件电流和漏电流之和,因此测量得到的电流是1.1nA (1nA + 100pA = 1.1nA)。因此,计算出来的电阻是181.818GΩ (200V/1.1nA = 181.818GΩ),误差为9.1% [(200GΩ – 181.818GΩ)/200GΩ * 100% = 9.1%]。随着电缆长度的增加,泄露电阻也随之减小,漏电流就更大;因此,在同轴连接中因泄露带来的误差就更大。

相反,利用三轴连接,中心导体被内部屏蔽层和外部屏蔽层所包围。与同轴连接相似,中心导体传输HI信号,外部屏蔽层传输LO信号。但是,内部屏蔽层有一个专门用途:传输保护信号。

 

             图6: 受保护的三轴连接

保护信号由单位增益、低阻抗放大器驱动,它随着HI信号电压而变化。通过使三轴线缆内部屏蔽层电压与中心导体电压相同,那么中心导体与绝缘体(RL1)之间的电势就是0V,从而杜绝了漏电流(IL)。

从上面的例子中可以看出,即使阻抗非常高的绝缘体也可以泄露较大的电流,并给测量结果带来较大误差。吉时利公司的源测量单元(SMU)(低电流)使用天然的三轴连接,确保从仪表到电缆端口之间不存在漏电流路径。某些SMU使用匹配器将banana连接转换为三轴连接。虽然这实现了从仪表到待测器件的直接连接,但仪表与适配器之间的连接仍无法得到保护,从而留下电流泄露路径。如果仪表和适配器没有定期清洗,那么操作员皮肤的油污就可能在端口之间形成相对低的阻抗,这将成为一个非常重要的问题。吉时利公司的源数据表使用天然的三轴连接,确保从根本上杜绝这些经常被忽视的泄露路径。

SMU技术领先

吉时利公司目前的SMU技术领先地位是从20世纪80年代以来数十年的仪表工程设计和开发努力的结果,包括一系列广泛的SMU相关专利:
利用N沟道和P沟道FET实现范围变化(5,144,154)
利用电流/电压限制实现电压/电流源控制(5,039,934)
电流控制高压固态开关(5,146,100)
受保护的印制电路板岛(5,490,325)
测试接触点连接检查方法与电路(5,886,530)
遥控仪表接触检查(5,999,002)
利用二次反馈实现失灵SMU的范围变更(具有二次反馈的源测量单元,消除范围变更其间的瞬变) (6,262,670)
低噪声电源变压器(7,009,486)
自动确定范围的电流分流(自配置电流测量) (7,276,893)
源测量电路(阻抗遮盖) 7,202,676
大容量载荷测试(7,800,380)
测试仪表网络(动态TSP-Link网络细分(DTNS)) (7,680,621)
目前,吉时利拥有测量与测试业界技术最先进仪表SMU生产线,推出4种不同种类的源测量单元(SMU),涵盖从台式测试到大吞吐量生产测试等多种测试,具有最广泛的动态范围。

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