不久前，TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的 3D 霍尔效应位置传感器，为此，电子产品世界等媒体采访了应用部经理陈兴鹏先生。
1、应用领域
问：这种新产品的应用领域是什么？
答：主要驱动因素就是汽车的电动化趋势。汽车里有越来越多的电机和大电流电缆，它们都会产生杂散磁场。
因此可以说所有应用都需要或多或少的杂散场抗扰度，具体需求则要视精度要求、在车辆中的位置以及自然屏蔽效果等因素而定。
问：在中国的目标客户主要集中在哪些行业？
答：TDK的线性霍尔效应产品线已在中国具备强大的市场地位。我们的目标就是将3D霍尔效应设备领域的成功复制到中国的所有市场领域。
2 如何实现杂散磁场补偿？
问：霍尔传感器的历史很长，我们还能有哪些创新？
答：我们仍在不断改进霍尔元件的性能（灵敏度、噪声、功耗）和功能（三维采集、应力抗扰度），此次展示的HAL® 39xy 系列产品的主要创新在于杂散场抗扰度（降低外部干扰磁场对被测位置/角度相关磁场的影响）。
其原理就是使用多个霍尔元件，通过智能算法进行信息融合并检测出干扰源，从而输出不受外部磁场干扰的数据。
这一切都有赖于直接将霍尔元件集成到CMOS技术中，即能够轻松地将多个霍尔元件集成到一个硅片上。这是该技术的独特优势。
问：这款新产品的独特优势是什么？
答：非常灵活，能够处理许多不同的应用场景和配置。
我们目前在一个硅片上共使用了10个霍尔元件。根据所用磁体以及被测运动（线性行程、角度、轴上、偏轴）的不同，DSP会采用不同的霍尔元件组合，通过智能算法进行信息融合并检测出干扰源，从而输出不受外部磁场干扰的数据。
问：新品采用了哪些特有的技术？另外，杂散磁场会对大多数基于霍尔效应技术的位置传感器产生影响，所以是否会考虑其他技术（诸如TMR）？
答：此次展示的HAL39系列产品其主要创新在于杂散场抗扰度（降低外部干扰磁场对被测位置/角度相关磁场的影响）。
其原理就是使用多个霍尔元件，通过智能算法进行信息融合并检测出干扰源，从而输出不受外部磁场干扰的数据。我们采用了获得专利的IP。产品规格显示杂散场剩余干扰只有< 0.1°。
这一切都有赖于直接将霍尔元件集成到CMOS技术中，即能够轻松地将多个霍尔元件集成到一个硅片上。这是该技术的独特优势。
目前TDK也正在努力实现不受杂散场干扰的TMR（隧道磁阻）解决方案。
3、官方介绍
陈兴鹏经理还提供了书面文章《具有杂散磁场补偿的 3D 霍尔效应位置传感器》，以下是全文。
时下， 市场对磁场传感器的要求日益攀高， 特别是对杂散磁场补偿的要求， 这给磁传感器的设计带来了新的挑战。 同时， 人们对自动驾驶功能、 更高的功能安全要求以及对数字接口日益增长的需求呼唤一种具有更多功能和更高灵活性的新型传感器问世。 鉴于此， TDK 推出一种具有杂散磁场补偿功能且采用灵活结构设计的独特 3D 霍尔效应位置传感器。
磁场传感器，尤其是霍尔效应传感器，被广泛应用于工业和汽车电子领域。其主要原因是，它们经济有效地集成了许多附加功能。近年来，除了霍尔效应开关和一维传感器外，越来越多的二维/三维传感器被设计应用到先进的汽车电子领域。这些传感器必须满足日益增长的需求，
例如， ISO 26262 中关于自动驾驶应用的更高安全要求。除此之外，现代汽车具有越来越多的高精度控制的执行器，它们必须提供数字接口(如 SENT、 SPI 和 PSI5)、低功率模式和 3D能力。
