中科院成功制备 8 英寸碳化硅晶体
[发布时间]：2022年5月17日
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【导读】： 近期，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一 4H 晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破...
近期，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一 4H 晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。
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