日前，中科院微电子所在多晶黑硅太阳能电池研究上获得重大突破。

黑硅是一种低反射率的硅材料，和常规的硅材料相比它具有超强的吸收光线的能力，可用于太阳能电池产业。中科院微电子所微电子设备研究室（八室）夏洋研究员带领的研究团队，原创性提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入机（国家自然科学基金委、中科院装备项目、方向性项目支持）制备了多种微观结构的黑硅材料，在可见光波段黑硅的平均反射率为0.5%，与飞秒激光制备黑硅的反射率相当，同时该工艺适应大批量制备，成本低，生产效率高。其科研文章发表在SolarEnergy、EnergyProcedia、JournalofElectronSpectroscopyandRelatedPhenomena、物理学报等多家期刊上，已申请专利30余项。

通过对黑硅结构进行优化，并且对生产线电池配套工艺进行改进，在全国产设备生产线研发出多晶黑硅太阳能电池（156mm×156mm，多晶）批量平均效率高达17.46%，最高可到17.65%。