三星出货EUV级DDR4 DRAM模组
　　3月25日消息 三星电子（Samsung Electronics）宣布，已经出货100万业界首款10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估，并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。

　　IT之家了解到，三星是第一个在DRAM生产中采用EUV来克服DRAM扩展方面的挑战的厂商。得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。
　　从第四代10nm级（D1a）或高度先进的14nm级DRAM开始，EUV将全面部署在三星未来几代DRAM中。三星预计明年开始批量生产基于D1a的DDR5和LPDDR5，这将使12英寸D1x晶圆的生产效率提高一倍。为了更好地满足对下一代高端DRAM日益增长的需求，三星将在今年下半年内在韩国平泽市启动第二条半导体制造线的运营。

　　EUV设备在半导体竞赛中不可或缺
　　为了应付半导体制程微缩，因此有了EUV设备与技术。使用EUV 技术后，除了同样制程的情况下，可将电晶体密度提升，同频率下功耗降低，且因为制程微缩，使得单位位元数产出增加，降低光罩用量，如此就可降低成本。
　　不过EUV设备昂贵，过去DRAM价格居高不下的时期，各家DRAM厂商扩大产能都来不及，暂时不考虑目前制程导入EUV技术。

　　DRAM市场供给过剩导致价格不断下跌的情况持续。DRAM厂虽然尽量减产，但仍然无法让价格明显止跌。因此，唯一能维持获利的方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过，DRAM制程向1z 纳米或1α 纳米制程推进的难度愈来愈高，随着EUV量产技术获得突破，将可有效降低DRAM的生产成本。
　　三星采用EUV 技术的1z 纳米DRAM，量产初期将与三星晶圆代工共用EUV设备，初期使用量虽不大，但却等于宣示DRAM微影技术会开始向EUV的方向发展。
　　三星的1z 纳米属于第三代10纳米级的制程，10纳米级的制程并不是10纳米制程，而是由于20纳米制程节点之后的DRAM制程升级变得困难，所以DRAM记忆体制程的线宽指标不再那么精确，于是有了1x 纳米、1y 纳米及1z 纳米等制程节点之分。简单来说，1x 纳米制程相当于16 到19 纳米，1y 纳米制程相当于14到16纳米，1z 纳米制程则是大概为12到14纳米制程的等级，而在这之后还有1α 及1β 纳米制程节点。

　　由于，先进制程采用EUV微影技术已是趋势，随着制程持续推进至5纳米或3纳米节点之后，预期对EUV的需求也会越来越大，EUV设备已将成为半导体军备竞赛中不可或缺的要项。
 
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