采用平箔时，并联电路设计可降低阻抗，电阻最大总阻抗为 0.08 uH。最大电容为 0.05 pF。1-k? 电阻设置时间在 100 MHZ以下小于 1 ns。上升时间取决于电阻值，但较高和较低电阻值相对于中间值仅略有下降。没有振铃噪声对于高速切换电路是十分重要的，例如信号转换。

100 MHZ 频率下，1-k? 大金属箔电阻直流电阻与其交流电阻的对比可用以下公式表示：

　交流电阻/直流电阻 = 1.001

　　                图4： 大金属箔电阻结构

金属箔技术全面组合了高度理想的、过去达不到的电阻特性，包括低温度系数（0 °C 至 + 60 °C 为 0.05 ppm/°C），误差达到 ± 0.005 % （采用密封时低至 ± 0.001 %），负载寿命稳定性在 70 °C，额定加电2000小时的情况下达到 ± 0.005 % （50 ppm），电阻间一致性在 0 °C 至 + 60 °C 时为 0.1 ppm/°C，抗 ESD 高达 25 kV。

性能要求

当然并非每位设计师的电路都需要全部高性能参数。技术规格相当差的电阻同样可以用于大量应用中，这方面的问题分为四类：

　（1） 现有应用可以利用大金属箔电阻的全部性能升级。

　（2） 现有应用需要一个或多个，但并非全部“行业最佳”性能参数。

　（3） 先进的电路只有利用精密电阻改进的技术规格才能开发。

　（4） 有目的地提前计划使用精密电阻满足今后升级要求 （例如，利用电阻而不是有源器件保持电路精度，从而节省成本，否则仅仅为了略微提高性能则要显著增加成本）。

例如，在第二 （2） 类情况下，一个参数必须根据所有参数的经济性加以权衡。与采用全面优异性能的电阻相比，这样可以节省成本，因为不需要调整电路 （及组装相关组件的成本）。主要通过电阻而不是有源器件提高精度也可以节省成本，因为有源器件略微提高一点性能所需的成本要比电阻高的多。另一个问题是：“利用高性能电阻提高设备性能是否可以提高市场的市场占有率？”作者 Yuval Hernik， 毕业于 Technion （以色列理工学院） 电子工程系。自2008年以来，一直担任 Vishay Precision Group 大金属箔电阻应用工程部总监。